半导体结构及其形成方法、形成SOI衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010865081.7

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN112582331A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

吴政达刘冠良

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20200825

共 50 条

[1]

SOI基底及其形成方法、半导体结构及其形成方法 [P].

刘松 ;

李炜 ;

汪聪颖 ;

李文龙 ;

魏星 .

中国专利 :CN119601528A ,2025-03-11

[2]

SOI衬底、半导体器件及其形成方法 [P].

陈达 .

中国专利 :CN109003936B ,2018-12-14

[3]

SOI衬底、半导体器件及其形成方法 [P].

陈达 .

中国专利 :CN108682649B ,2018-10-19

[4]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108A ,2021-08-03

[5]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108B ,2025-01-10

[6]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体结构 [P].

王滔 ;

曹亮 ;

张昱 ;

李炜 ;

杨俊 .

中国专利 :CN120261265A ,2025-07-04

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

H·杰加纳森 ;

S·K·卡纳卡萨巴帕斯 .

中国专利 :CN103258852A ,2013-08-21

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111081546B ,2024-01-26

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16

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