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用于产生放射性同位素的气体靶系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201780079376.8
申请日：
2017-12-19
公开(公告)号：
CN110089201A
公开(公告)日：
2019-08-02
发明(设计)人：
T·坎帕内拉 A·佩雷兹德劳姆
申请人：
申请人地址：
法国佩尼耶
IPC主分类号：
H05H600
IPC分类号：
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
李丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-08-02 公开 公开
2019-08-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 6/00 申请日:20171219
共 50 条
[1]
用于产生放射性同位素的靶装置 [P]. 
J－C·阿米莉亚 ;
M·吉约特 .
中国专利 :CN1922695A ,2007-02-28
[2]
产生放射性同位素的靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
美国专利 :CN112789689B ,2024-04-09
[3]
产生放射性同位素的靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
中国专利 :CN112789689A ,2021-05-11
[4]
产生放射性同位素的气动靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
美国专利 :CN112789688B ,2024-08-20
[5]
产生放射性同位素的气动靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
中国专利 :CN112789688A ,2021-05-11
[6]
放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置 [P]. 
石冈典子 ;
近藤浩夫 ;
渡边茂树 .
中国专利 :CN111164709A ,2020-05-15
[7]
放射性同位素产生器 [P]. 
P·S·维斯纳 ;
T·R·F·福雷斯特 .
中国专利 :CN1625784A ,2005-06-08
[8]
放射性同位素产生器 [P]. 
P·S·维斯纳 ;
T·R·F·福雷斯特 .
中国专利 :CN101290815A ,2008-10-22
[9]
用于生产放射性同位素的辐照靶 [P]. 
B.D.菲舍尔 ;
E.B.巴杰 ;
W.E.拉塞尔二世 .
中国专利 :CN110462750A ,2019-11-15
[10]
放射性同位素电源 [P]. 
布里安·蒂洛森 .
中国专利 :CN112151202A ,2020-12-29
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