用于产生放射性同位素的靶装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200580005296.5
申请日
2005-02-18
公开(公告)号
CN1922695A
公开(公告)日
2007-02-28
发明(设计)人
J-C·阿米莉亚 M·吉约特
申请人
申请人地址
比利时卢万-拉-讷韦
IPC主分类号
G21G100
IPC分类号
G21K508
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
赵培训
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
产生放射性同位素的靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
美国专利 :CN112789689B ,2024-04-09
[2]
用于产生放射性同位素的气体靶系统 [P]. 
T·坎帕内拉 ;
A·佩雷兹德劳姆 .
中国专利 :CN110089201A ,2019-08-02
[3]
产生放射性同位素的靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
中国专利 :CN112789689A ,2021-05-11
[4]
放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置 [P]. 
石冈典子 ;
近藤浩夫 ;
渡边茂树 .
中国专利 :CN111164709A ,2020-05-15
[5]
放射性同位素产生器 [P]. 
P·S·维斯纳 ;
T·R·F·福雷斯特 .
中国专利 :CN1625784A ,2005-06-08
[6]
放射性同位素产生器 [P]. 
P·S·维斯纳 ;
T·R·F·福雷斯特 .
中国专利 :CN101290815A ,2008-10-22
[7]
产生放射性同位素的气动靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
美国专利 :CN112789688B ,2024-08-20
[8]
放射性同位素制造装置及放射性同位素的制造方法 [P]. 
小笠原毅 ;
矢岛晓 ;
佐野正美 .
中国专利 :CN101681689B ,2010-03-24
[9]
产生放射性同位素的气动靶辐照系统 [P]. 
T.G.昂德沃特 ;
M.A.阿尔博伊诺 ;
B.D.费希尔 ;
A.朗 .
中国专利 :CN112789688A ,2021-05-11
[10]
用于生产放射性同位素的辐照靶 [P]. 
B.D.菲舍尔 ;
E.B.巴杰 ;
W.E.拉塞尔二世 .
中国专利 :CN110462750A ,2019-11-15