半导体装置的冷却构造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980162611.3

申请日：

2009-11-25

公开(公告)号：

CN102648519A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

北见明朗上野孝史

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L23427

IPC分类号：

H01L23373

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;徐健

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714131044 IPC(主分类):H01L 23/427 专利申请号:2009801626113 申请公布日:20120822
2012-08-22	公开	公开
2012-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333710777 IPC(主分类):H01L 23/427 专利申请号:2009801626113 申请日:20091125

共 50 条

[1]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 .

中国专利 :CN101632172B ,2010-01-20

[2]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 .

中国专利 :CN101578701A ,2009-11-11

[3]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 ;

山田靖 .

中国专利 :CN101681898A ,2010-03-24

[4]

半导体元件的冷却构造 [P].

日下博人 .

中国专利 :CN103597591A ,2014-02-19

[5]

半导体装置及半导体装置的安装构造 [P].

安武一平 .

中国专利 :CN112117196A ,2020-12-22

[6]

冷却器以及半导体装置的冷却构造体 [P].

安西智弘 .

日本专利 :CN119497911A ,2025-02-21

[7]

半导体装置以及半导体装置的连接构造 [P].

石野宽 ;

渡边友和 .

中国专利 :CN104412383A ,2015-03-11

[8]

半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

吉松直树 ;

荒木慎太郎 .

日本专利 :CN118116879A ,2024-05-31

[9]

半导体构造体以及半导体装置 [P].

名古肇 ;

吉田学史 ;

田岛纯平 ;

彦坂年辉 .

日本专利 :CN117894828A ,2024-04-16

[10]

冷却装置和半导体装置 [P].

森昌吾 ;

音部优里 ;

加藤直毅 ;

西槙介 ;

平野智哉 ;

松岛诚二 .

中国专利 :CN103715156A ,2014-04-09

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