半导体元件的冷却构造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880002205.6

申请日：

2008-01-09

公开(公告)号：

CN101578701A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

吉田忠史长田裕司横井丰

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L23473

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷;南霆

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-06	授权	授权
2018-12-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/473 申请日:20080109 授权公告日:20110706 终止日期:20180109
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 .

中国专利 :CN101632172B ,2010-01-20

[2]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 ;

山田靖 .

中国专利 :CN101681898A ,2010-03-24

[3]

半导体元件的冷却构造 [P].

日下博人 .

中国专利 :CN103597591A ,2014-02-19

[4]

半导体装置的冷却构造 [P].

北见明朗 ;

上野孝史 .

中国专利 :CN102648519A ,2012-08-22

[5]

半导体元件的安装构造 [P].

小野关仁 ;

福住志津 ;

铃木直也 ;

野中敏央 .

日本专利 :CN118969761A ,2024-11-15

[6]

用于半导体元件的冷却装置 [P].

川浦正规 ;

松井启仁 ;

吉田忠史 .

中国专利 :CN102097401B ,2011-06-15

[7]

半导体元件的欧姆接触构造 [P].

星真一 ;

伊藤正纪 .

中国专利 :CN1983628A ,2007-06-20

[8]

半导体元件的冷却装置 [P].

中野雅夫 ;

芦谷博正 ;

福嵨雅文 .

中国专利 :CN1453862A ,2003-11-05

[9]

半导体元件的冷却装置 [P].

坂野哲朗 ;

泷川宏 ;

西川佑司 ;

早野浩次 ;

大山昭宪 ;

宫田龙介 .

中国专利 :CN1592010A ,2005-03-09

[10]

半导体元件的冷却结构 [P].

田畑光晴 .

中国专利 :CN102403288A ,2012-04-04

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