用于半导体元件的冷却装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010542610.6

申请日：

2010-11-10

公开(公告)号：

CN102097401B

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

川浦正规松井启仁吉田忠史

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L23473

IPC分类号：

H01L23367

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

马江立;万柳军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-22	授权	授权
2011-06-15	公开	公开
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096110532 IPC(主分类):H01L 23/473 专利申请号:2010105426106 申请日:20101110

共 50 条

[1]

半导体元件的冷却装置 [P].

中野雅夫 ;

芦谷博正 ;

福嵨雅文 .

中国专利 :CN1453862A ,2003-11-05

[2]

半导体元件的冷却装置 [P].

坂野哲朗 ;

泷川宏 ;

西川佑司 ;

早野浩次 ;

大山昭宪 ;

宫田龙介 .

中国专利 :CN1592010A ,2005-03-09

[3]

用于冷却半导体元件特别是光电子半导体元件的冷却装置 [P].

G·博格纳 ;

H·布伦纳 ;

S·格罗特施 ;

G·勒夫兰克 .

中国专利 :CN101095228A ,2007-12-26

[4]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 .

中国专利 :CN101578701A ,2009-11-11

[5]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 ;

山田靖 .

中国专利 :CN101681898A ,2010-03-24

[6]

半导体元件的冷却构造 [P].

日下博人 .

中国专利 :CN103597591A ,2014-02-19

[7]

半导体元件的冷却构造 [P].

吉田忠史 ;

长田裕司 ;

横井丰 .

中国专利 :CN101632172B ,2010-01-20

[8]

半导体元件的冷却结构 [P].

田畑光晴 .

中国专利 :CN102403288A ,2012-04-04

[9]

半导体元件冷却装置及其控制方法 [P].

中野雅夫 ;

芦谷博正 .

中国专利 :CN1321454C ,2003-11-26

[10]

一种半导体元件冷却装置 [P].

于孝传 .

中国专利 :CN116387257B ,2024-01-30

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