具有熔丝的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200310102360.4
申请日
2003-10-27
公开(公告)号
CN1499627A
公开(公告)日
2004-05-26
发明(设计)人
南条亮太 大塚敏志 泽田丰治 助川和雄
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L23525
IPC分类号
H01L2706
代理机构
北京东方亿思专利代理有限责任公司
代理人
杜娟;董方源
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和断开熔丝元件的方法 [P]. 
小川澄男 .
中国专利 :CN101232001A ,2008-07-30
[2]
具有熔丝图案的半导体器件 [P]. 
赵文祺 ;
安殷彻 ;
金相荣 ;
辛周源 ;
李旼镐 .
中国专利 :CN103855133A ,2014-06-11
[3]
具有熔丝元件的半导体器件和切断熔丝元件的方法 [P]. 
小川澄男 .
中国专利 :CN101013687A ,2007-08-08
[4]
切断电熔丝的半导体器件和方法 [P]. 
上田岳洋 .
中国专利 :CN101083250A ,2007-12-05
[5]
具有栓塞的半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108511416A ,2018-09-07
[6]
反熔丝元件、反熔丝元件的制造方法及半导体器件 [P]. 
甘正浩 ;
洪中山 .
中国专利 :CN105097771B ,2015-11-25
[7]
半导体器件和具有该半导体器件的逆变器电路 [P]. 
福田丰 ;
都筑幸夫 .
中国专利 :CN101431075B ,2009-05-13
[8]
半导体器件 [P]. 
斋野敢太 .
中国专利 :CN101009285A ,2007-08-01
[9]
半导体器件 [P]. 
高冈洋道 .
中国专利 :CN107564886A ,2018-01-09
[10]
半导体熔丝 [P]. 
D·托本 ;
S·J·维伯 ;
A·布林青格 .
中国专利 :CN1241810A ,2000-01-19