半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710386693.6

申请日：

2017-05-26

公开(公告)号：

CN107564886A

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

高冈洋道

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23525

IPC分类号：

H01L27112

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;张昊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	公开	公开
2020-01-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/525 申请公布日:20180109

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 ;

王纯志 .

中国专利 :CN104078463A ,2014-10-01

[2]

半导体器件 [P].

土屋义规 ;

吉木昌彦 .

中国专利 :CN1933180A ,2007-03-21

[3]

半导体器件 [P].

前田德章 .

中国专利 :CN101499474A ,2009-08-05

[4]

半导体器件 [P].

久田贤一 ;

新井耕一 .

日本专利 :CN117410338A ,2024-01-16

[5]

半导体器件 [P].

登尾正人 ;

斋藤顺 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN111463277A ,2020-07-28

[6]

半导体器件 [P].

小野升太郎 ;

山口好广 ;

川口雄介 ;

中村和敏 ;

安原纪夫 ;

松下宪一 ;

帆玉信一 ;

中川明夫 .

中国专利 :CN1244160C ,2003-10-15

[7]

半导体器件 [P].

森隆弘 .

中国专利 :CN104813452A ,2015-07-29

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

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