半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03108615.2

申请日：

2003-03-31

公开(公告)号：

CN1244160C

公开(公告)日：

2003-10-15

发明(设计)人：

小野升太郎山口好广川口雄介中村和敏安原纪夫松下宪一帆玉信一中川明夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

黄剑锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-01	授权	授权
2003-10-15	公开	公开
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20030331 授权公告日:20060301 终止日期:20170331

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 ;

王纯志 .

中国专利 :CN104078463A ,2014-10-01

[2]

半导体器件 [P].

土屋义规 ;

吉木昌彦 .

中国专利 :CN1933180A ,2007-03-21

[3]

半导体器件 [P].

前田德章 .

中国专利 :CN101499474A ,2009-08-05

[4]

半导体器件 [P].

久田贤一 ;

新井耕一 .

日本专利 :CN117410338A ,2024-01-16

[5]

半导体器件 [P].

登尾正人 ;

斋藤顺 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN111463277A ,2020-07-28

[6]

半导体器件 [P].

高冈洋道 .

中国专利 :CN107564886A ,2018-01-09

[7]

半导体器件 [P].

森隆弘 .

中国专利 :CN104813452A ,2015-07-29

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

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