半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710004402.9

申请日：

2007-01-18

公开(公告)号：

CN101009285A

公开(公告)日：

2007-08-01

发明(设计)人：

斋野敢太

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L23525

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谷惠敏;钟强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-01	公开	公开
2009-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003936024 IPC(主分类):H01L 27/108 专利申请号:2007100044029 公开日:20070801

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

渡边伸一 ;

大泽隆 ;

须之内一正 ;

竹川阳一 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1388586A ,2003-01-01

[2]

半导体器件 [P].

田矢真敏 .

中国专利 :CN1519937A ,2004-08-11

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[4]

半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN102856381A ,2013-01-02

[5]

半导体器件 [P].

鹰巢博昭 .

中国专利 :CN101271900A ,2008-09-24

[6]

半导体器件 [P].

中柴康隆 .

中国专利 :CN101290935A ,2008-10-22

[7]

半导体器件 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1707809A ,2005-12-14

[8]

半导体器件 [P].

山越英明 ;

冈保志 ;

冈田大介 .

中国专利 :CN102201415A ,2011-09-28

[9]

半导体器件 [P].

森井崇 .

中国专利 :CN100499126C ,2007-03-21

[10]

半导体器件 [P].

沈善一 ;

崔升旭 .

中国专利 :CN108231779B ,2018-06-29

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