阵列基板及其制作方法

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申请号
CN202180004901.6
申请日
2021-12-23
公开(公告)号
CN114787703A
公开(公告)日
2022-07-22
发明(设计)人
钟德镇 郑会龙 王新刚
申请人
申请人地址
215301 江苏省苏州市昆山开发区龙腾路1号
IPC主分类号
G02F11362
IPC分类号
G02F11368 G02F11333 H01L2712 H01L2177
代理机构
上海波拓知识产权代理有限公司 31264
代理人
蔡光仟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[41]
阵列基板及制作方法 [P]. 
钟德镇 ;
郑会龙 ;
刘厚锋 .
中国专利 :CN113690180B ,2024-03-12
[42]
阵列基板及制作方法 [P]. 
钟德镇 ;
郑会龙 ;
刘厚锋 .
中国专利 :CN113540126A ,2021-10-22
[43]
阵列基板及制作方法 [P]. 
钟德镇 ;
郑会龙 ;
刘厚锋 .
中国专利 :CN113540126B ,2024-03-12
[44]
低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 [P]. 
刘翔 .
中国专利 :CN111725243A ,2020-09-29
[45]
低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 [P]. 
刘翔 .
中国专利 :CN111725243B ,2025-08-05
[46]
低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 [P]. 
刘翔 .
中国专利 :CN111725244A ,2020-09-29
[47]
低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 [P]. 
刘翔 .
中国专利 :CN111725244B ,2025-06-03
[48]
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P]. 
陈晓威 ;
汤永才 .
中国专利 :CN113192893A ,2021-07-30
[49]
阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 [P]. 
刘翔 .
中国专利 :CN104269413A ,2015-01-07
[50]
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P]. 
陈晓威 ;
汤永才 .
中国专利 :CN113192893B ,2024-03-12