基于三层DBC基板的碳化硅器件封装结构及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710480698.5

申请日：

2017-06-22

公开(公告)号：

CN107393882B

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

杨英坤李俊焘代刚张龙肖承全张林徐星亮向安周阳古云飞崔潆心银杉李志强

申请人：

申请人地址：

621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23367 H01L2348 H01L2156 H01L29861

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211

代理人：

蒋斯琪

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-25	授权	授权
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20170622

共 50 条

[1]

用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法 [P].

C.赫克特 ;

T.赫希鲍尔 ;

R.鲁普 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN104051242A ,2014-09-17

[2]

碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板 [P].

长泽弘幸 ;

久保田芳宏 ;

秋山昌次 .

中国专利 :CN110366611B ,2019-10-22

[3]

碳化硅器件和用于制造碳化硅器件的方法 [P].

R.柯恩 ;

R.鲁普 .

中国专利 :CN109427563A ,2019-03-05

[4]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

[5]

一种碳化硅功率器件封装结构 [P].

张国斌 ;

赵妙 ;

金智 ;

许恒宇 ;

何在田 ;

万彩萍 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN107768326A ,2018-03-06

[6]

碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

古庄智明 ;

田中贵规 ;

黑岩丈晴 ;

宇治原徹 ;

原田俊太 ;

村山健太 .

中国专利 :CN110462112B ,2019-11-15

[7]

碳化硅器件封装电路、电子设备和碳化硅器件封装结构 [P].

赵志斌 ;

杨晓峰 ;

李学宝 ;

崔翔 ;

金锐 ;

张朋 ;

李哲洋 .

中国专利 :CN223414084U ,2025-10-03

[8]

碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN107109695A ,2017-08-29

[9]

碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法 [P].

渡边幸宗 .

中国专利 :CN106169497A ,2016-11-30

[10]

一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法 [P].

史闻 ;

谢志峰 ;

郑翰鸿 .

中国专利 :CN113782503A ,2021-12-10

← 1 2 3 4 5 →