碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580070016.2

申请日：

2015-11-09

公开(公告)号：

CN107109695A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

日吉透

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749362614 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800700162 申请日:20151109
2017-08-29	公开	公开
2019-10-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20170829

共 50 条

[1]

碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

玄番润 .

中国专利 :CN107109693B ,2017-08-29

[2]

碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板 [P].

长泽弘幸 ;

久保田芳宏 ;

秋山昌次 .

中国专利 :CN110366611B ,2019-10-22

[3]

碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法 [P].

渡边幸宗 .

中国专利 :CN106169497A ,2016-11-30

[4]

碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN109943885A ,2019-06-28

[5]

碳化硅外延基板的制造方法、碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN107430995B ,2017-12-01

[6]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板 [P].

川濑智博 .

中国专利 :CN106471165A ,2017-03-01

[7]

碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

古庄智明 ;

田中贵规 ;

黑岩丈晴 ;

宇治原徹 ;

原田俊太 ;

村山健太 .

中国专利 :CN110462112B ,2019-11-15

[8]

碳化硅基板 [P].

梶直树 ;

上田俊策 ;

堀勉 ;

原田真 .

中国专利 :CN108026664A ,2018-05-11

[9]

碳化硅基板 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110299403A ,2019-10-01

[10]

碳化硅基板 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN111788339B ,2020-10-16

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