碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580061654.8

申请日：

2015-05-21

公开(公告)号：

CN107109693B

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

和田圭司西口太郎玄番润

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C23C1602 C23C1642 C30B2514 H01L21205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749363578 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800616548 申请日:20150521
2017-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅外延基板 [P].

西口太郎 ;

和田圭司 ;

玄番润 ;

伊东洋典 ;

土井秀之 ;

平塚健二 .

中国专利 :CN106715767A ,2017-05-24

[2]

碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN109943885A ,2019-06-28

[3]

碳化硅外延基板的制造方法、碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN107430995B ,2017-12-01

[4]

外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN104981892A ,2015-10-14

[5]

碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

堀勉 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108463581A ,2018-08-28

[6]

碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN107109695A ,2017-08-29

[7]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN111799324A ,2020-10-20

[8]

制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造碳化硅外延基板的设备 [P].

和田圭司 ;

土井秀之 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN107924823A ,2018-04-17

[9]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

日本专利 :CN111799324B ,2024-09-13

[10]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

中村勇 ;

小西和也 .

中国专利 :CN108292686B ,2018-07-17

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