碳化硅外延基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580053722.6

申请日：

2015-08-18

公开(公告)号：

CN106715767A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

西口太郎和田圭司玄番润伊东洋典土井秀之平塚健二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2520 H01L2120

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2020-06-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20170524
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727788066 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800537226 申请日:20150818

共 50 条

[1]

碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

和田圭司 ;

堀勉 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN108463581A ,2018-08-28

[2]

碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

玄番润 .

中国专利 :CN107109693B ,2017-08-29

[3]

碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN109943885A ,2019-06-28

[4]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN111799324A ,2020-10-20

[5]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

日本专利 :CN111799324B ,2024-09-13

[6]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

中村勇 ;

小西和也 .

中国专利 :CN108292686B ,2018-07-17

[7]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

田中贵规 ;

山本茂久 ;

中村勇 ;

木村泰广 ;

中田修平 ;

三谷阳一郎 .

中国专利 :CN109155239A ,2019-01-04

[8]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN208266305U ,2018-12-21

[9]

外延碳化硅单晶基板及其制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

柘植弘志 ;

星野泰三 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

中林正史 ;

矢代弘克 .

中国专利 :CN102301043A ,2011-12-28

[10]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN207091557U ,2018-03-13

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