碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610319055.8

申请日：

2016-05-12

公开(公告)号：

CN106169497A

公开(公告)日：

2016-11-30

发明(设计)人：

渡边幸宗

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

田喜庆;纪秀凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-30	公开	公开
2021-03-12	授权	授权
2018-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20160512

共 50 条

[1]

碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板 [P].

长泽弘幸 ;

久保田芳宏 ;

秋山昌次 .

中国专利 :CN110366611B ,2019-10-22

[2]

碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN107109695A ,2017-08-29

[3]

碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

古庄智明 ;

田中贵规 ;

黑岩丈晴 ;

宇治原徹 ;

原田俊太 ;

村山健太 .

中国专利 :CN110462112B ,2019-11-15

[4]

碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

玄番润 .

中国专利 :CN107109693B ,2017-08-29

[5]

碳化硅基板 [P].

梶直树 ;

上田俊策 ;

堀勉 ;

原田真 .

中国专利 :CN108026664A ,2018-05-11

[6]

碳化硅基板 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110299403A ,2019-10-01

[7]

碳化硅基板 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN111788339B ,2020-10-16

[8]

碳化硅基板 [P].

上田俊策 ;

冲田恭子 ;

原田真 .

中国专利 :CN108026662B ,2018-05-11

[9]

制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造碳化硅外延基板的设备 [P].

和田圭司 ;

土井秀之 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN107924823A ,2018-04-17

[10]

碳化硅基板的制造方法 [P].

黄喆周 .

韩国专利 :CN117751426A ,2024-03-22

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