碳化硅基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680056320.6

申请日：

2016-10-12

公开(公告)号：

CN108026664A

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

梶直树上田俊策堀勉原田真

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-11	公开	公开
2020-11-13	授权	授权
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20161012

共 50 条

[1]

碳化硅基板 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110299403A ,2019-10-01

[2]

碳化硅基板 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN111788339B ,2020-10-16

[3]

碳化硅基板 [P].

上田俊策 ;

冲田恭子 ;

原田真 .

中国专利 :CN108026662B ,2018-05-11

[4]

碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN109943885A ,2019-06-28

[5]

碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板 [P].

长泽弘幸 ;

久保田芳宏 ;

秋山昌次 .

中国专利 :CN110366611B ,2019-10-22

[6]

碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN107109695A ,2017-08-29

[7]

碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法 [P].

渡边幸宗 .

中国专利 :CN106169497A ,2016-11-30

[8]

碳化硅外延基板 [P].

西口太郎 ;

和田圭司 ;

玄番润 ;

伊东洋典 ;

土井秀之 ;

平塚健二 .

中国专利 :CN106715767A ,2017-05-24

[9]

碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

玄番润 .

中国专利 :CN107109693B ,2017-08-29

[10]

碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置 [P].

中村勇 ;

小西和也 .

中国专利 :CN108292686B ,2018-07-17

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