碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880014716.3

申请日：

2018-03-01

公开(公告)号：

CN110366611B

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

长泽弘幸久保田芳宏秋山昌次

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

杜丽利

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	公开	公开
2021-07-27	授权	授权
2020-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20180301

共 50 条

[1]

碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法 [P].

渡边幸宗 .

中国专利 :CN106169497A ,2016-11-30

[2]

碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN107109695A ,2017-08-29

[3]

碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

古庄智明 ;

田中贵规 ;

黑岩丈晴 ;

宇治原徹 ;

原田俊太 ;

村山健太 .

中国专利 :CN110462112B ,2019-11-15

[4]

碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

玄番润 .

中国专利 :CN107109693B ,2017-08-29

[5]

碳化硅基板 [P].

梶直树 ;

上田俊策 ;

堀勉 ;

原田真 .

中国专利 :CN108026664A ,2018-05-11

[6]

碳化硅基板 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110299403A ,2019-10-01

[7]

碳化硅基板 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN111788339B ,2020-10-16

[8]

碳化硅基板 [P].

上田俊策 ;

冲田恭子 ;

原田真 .

中国专利 :CN108026662B ,2018-05-11

[9]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN111799324A ,2020-10-20

[10]

碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

日本专利 :CN111799324B ,2024-09-13

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