碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580035227.2

申请日：

2015-06-24

公开(公告)号：

CN106471165A

公开(公告)日：

2017-03-01

发明(设计)人：

川濑智博

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2306

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101709180369 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800352272 申请日:20150624
2018-01-26	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20170301
2017-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[2]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 [P].

佐藤信也 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 ;

中林正史 .

中国专利 :CN107002281A ,2017-08-01

[3]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[4]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[5]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[6]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN104278322A ,2015-01-14

[7]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[8]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[9]

晶体生长装置、碳化硅单晶的制造方法、碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN107109694A ,2017-08-29

[10]

碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法 [P].

增田贤太 ;

一坪幸辉 ;

铃木将和 ;

野中洁 ;

加藤智久 ;

田中秀秋 .

中国专利 :CN105246826A ,2016-01-13

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