碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380076003.7

申请日：

2013-11-27

公开(公告)号：

CN105246826A

公开(公告)日：

2016-01-13

发明(设计)人：

增田贤太一坪幸辉铃木将和野中洁加藤智久田中秀秋

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;褚瑶杨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	公开	公开
2017-06-16	授权	授权
2016-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101653495197 IPC(主分类):C01B 31/36 专利申请号:2013800760037 申请日:20131127

共 50 条

[1]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[2]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[3]

碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块 [P].

谷小桃 ;

矢野孝幸 ;

藤本辰雄 ;

柘植弘志 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

关和明 .

中国专利 :CN107208311B ,2017-09-26

[4]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[5]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[6]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN104278322A ,2015-01-14

[7]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[8]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[9]

碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

中林正史 ;

下村光太 ;

永畑幸雄 ;

小岛清 .

中国专利 :CN105658846A ,2016-06-08

[10]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板 [P].

川濑智博 .

中国专利 :CN106471165A ,2017-03-01

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