一种改进逻辑工艺中硅损失的多晶硅退火方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110265266.5

申请日：

2011-09-08

公开(公告)号：

CN102446759A

公开(公告)日：

2012-05-09

发明(设计)人：

毛刚刘格致黄晓橹陈玉文

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-09	公开	公开
2014-06-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702068901 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2011102652665 申请公布日:20120509
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101271727929 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2011102652665 申请日:20110908

共 50 条

[1]

消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法 [P].

束伟夫 ;

荆泉 ;

任昱 ;

张旭升 .

中国专利 :CN104465352A ,2015-03-25

[2]

一种铸造多晶硅的退火工艺 [P].

明亮 ;

段金刚 ;

黄美玲 ;

谭晓松 ;

瞿海斌 ;

陈国红 ;

蔡先武 .

中国专利 :CN104695014A ,2015-06-10

[3]

改善多晶硅退火工艺阻值均匀性的方法 [P].

翟志刚 ;

高文文 .

中国专利 :CN105826192A ,2016-08-03

[4]

一种多晶硅铸锭用退火工艺 [P].

刘波波 ;

贺鹏 ;

蔺文 ;

宗红梅 .

中国专利 :CN106087065A ,2016-11-09

[5]

一种多晶硅铸锭快速退火工艺 [P].

胡江峰 ;

胡超 ;

宋丽平 ;

董朝龙 ;

雷杰 ;

张泽兴 ;

黄林 ;

张珩琨 ;

许桢 .

中国专利 :CN106835287A ,2017-06-13

[6]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

向磊 .

中国专利 :CN112820640A ,2021-05-18

[7]

多晶硅的刻蚀方法 [P].

向磊 .

中国专利 :CN112820640B ,2024-06-14

[8]

一种改进的多晶硅薄膜的制备方法 [P].

杨利云 .

中国专利 :CN103103488A ,2013-05-15

[9]

用于多晶硅沉积的系统和方法 [P].

秦文军 .

中国专利 :CN102985363A ,2013-03-20

[10]

一种多晶硅的生产工艺 [P].

陈其国 ;

钟真武 ;

陈文龙 .

中国专利 :CN101724895B ,2010-06-09

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