用于半导体芯片制造的刻蚀装置

被引：0

申请号：

CN202121890726.9

申请日：

2021-08-13

公开(公告)号：

CN216250642U

公开(公告)日：

2022-04-08

发明(设计)人：

陈雅丽

申请人：

申请人地址：

471000 河南省洛阳市涧西区王湾村四组10号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126

代理人：

蔡辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	授权	授权
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/67 登记生效日:20220725 变更事项:专利权人变更前权利人:陈雅丽变更后权利人:江苏爱矽半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:471000 河南省洛阳市涧西区王湾村四组10号变更后权利人:221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园A9、A10号厂房

共 50 条

[1]

用于半导体芯片的制造装置 [P].

彭兴义 .

中国专利 :CN214848506U ,2021-11-23

[2]

半导体芯片、用于制造半导体芯片的方法和装置 [P].

F·柯普 ;

A·莫尔纳 ;

B·L·C·吴 ;

H·Y·廖 .

德国专利 :CN118435363A ,2024-08-02

[3]

用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片 [P].

M.梅纳特 ;

B.舒德雷尔 ;

H.温特 .

中国专利 :CN102468156A ,2012-05-23

[4]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

M.沃佩尔 .

中国专利 :CN102593070A ,2012-07-18

[5]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

卡尔·恩格尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN101675539A ,2010-03-17

[6]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

艾尔弗雷德·莱尔 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

贝恩哈德·施托耶茨 ;

安德烈·佐默斯 .

中国专利 :CN107394583A ,2017-11-24

[7]

用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 [P].

克里斯托夫·艾希勒 ;

安德烈·佐默斯 ;

哈拉尔德·柯尼希 ;

贝恩哈德·施托耶茨 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 .

中国专利 :CN107394581A ,2017-11-24

[8]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

卡尔·恩格尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

安德烈亚斯·魏玛 .

中国专利 :CN102779917A ,2012-11-14

[9]

用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片 [P].

斯特凡·伊莱克 .

中国专利 :CN101903995B ,2010-12-01

[10]

半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 [P].

克里斯托夫·艾克勒 ;

乌韦·施特劳斯 ;

亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库 .

中国专利 :CN101601142A ,2009-12-09

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