用于半导体芯片制造的刻蚀装置

被引：0

申请号：

CN202121890726.9

申请日：

2021-08-13

公开(公告)号：

CN216250642U

公开(公告)日：

2022-04-08

发明(设计)人：

陈雅丽

申请人：

申请人地址：

471000 河南省洛阳市涧西区王湾村四组10号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126

代理人：

蔡辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	授权	授权
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/67 登记生效日:20220725 变更事项:专利权人变更前权利人:陈雅丽变更后权利人:江苏爱矽半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:471000 河南省洛阳市涧西区王湾村四组10号变更后权利人:221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园A9、A10号厂房

共 50 条

[21]

半导体芯片及半导体芯片的制造方法 [P].

北黑弘一 ;

门西裕 .

中国专利 :CN1190489A ,1998-08-12

[22]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

崔金洪 ;

陈建国 ;

贺冠中 .

中国专利 :CN104835784A ,2015-08-12

[23]

半导体芯片的制造方法以及半导体芯片 [P].

楠木克辉 .

中国专利 :CN1890782A ,2007-01-03

[24]

半导体芯片以及制造半导体芯片的方法 [P].

U·斯特劳斯 .

中国专利 :CN101542751A ,2009-09-23

[25]

半导体芯片和制造半导体芯片的方法 [P].

吴革明 .

中国专利 :CN119920770A ,2025-05-02

[26]

半导体芯片的制造方法及半导体芯片 [P].

有田洁 .

中国专利 :CN100517645C ,2008-01-16

[27]

发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 [P].

克里斯托夫·艾希勒 ;

安德烈·佐默斯 ;

贝恩哈德·施托耶茨 ;

安德烈亚斯·莱夫勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 .

中国专利 :CN107425413B ,2017-12-01

[28]

半导体芯片及用于制造半导体芯片的布局制备方法 [P].

陈宪伟 .

中国专利 :CN102456659A ,2012-05-16

[29]

功率半导体芯片以及用于制造功率半导体芯片的方法 [P].

W·M·舒尔茨 .

中国专利 :CN106783785B ,2017-05-31

[30]

用于制造多个半导体芯片和的方法和半导体芯片 [P].

迈克尔·胡贝尔 ;

洛伦佐·齐尼 .

中国专利 :CN107210334A ,2017-09-26

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