双重图案化光刻技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180076082.2

申请日：

2011-12-29

公开(公告)号：

CN104025256B

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

C·H·华莱士 S·希瓦库马 M·L·廷吉 C·D·穆纳辛哈 N·M·拉哈尔-乌拉比

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587252592 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2011800760822 申请日:20111229
2017-03-29	授权	授权
2022-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20111229 授权公告日:20170329 终止日期:20211229
2014-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

双重图案化的方法 [P].

李镇玮 ;

刘弘仁 .

中国专利 :CN103681255A ,2014-03-26

[2]

用于双重图案化的方法和材料 [P].

P-F·傅 ;

E·S·梅尔 ;

杰森·D·苏尔 .

中国专利 :CN102439523B ,2012-05-02

[3]

光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法 [P].

赖韦翰 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN106325002A ,2017-01-11

[4]

双重图案光刻的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片 [P].

蔡宗叡 ;

贺冠中 ;

樊雨佳 ;

王志豪 ;

吕俊源 .

中国专利 :CN121152248A ,2025-12-16

[5]

双重图形化方法 [P].

袁伟 .

中国专利 :CN102129968A ,2011-07-20

[6]

用于半导体制造的混合双重图案化方法 [P].

谢艮轩 ;

郑文立 ;

郑东祐 ;

赖志明 ;

刘如淦 .

中国专利 :CN109509697B ,2019-03-22

[7]

一种电子束和双重图案混合光刻工艺版图图案分解方法 [P].

曾璇 ;

陆伟成 ;

周海 ;

严昌浩 ;

杨运峰 .

中国专利 :CN105893644B ,2016-08-24

[8]

用于半导体工艺的多重图案化方法及多重图案化系统 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118210201A ,2024-06-18

[9]

用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法 [P].

M·A·多特柴沃 ;

M·杜萨 ;

R·J·F·范哈恩 ;

H·西韦尔 ;

R·W·范德赫杰登 .

中国专利 :CN101900938A ,2010-12-01

[10]

使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法 [P].

R·R·达梅尔 ;

D·J·阿布达拉 ;

E·阿勒梅 ;

M·帕德马纳本 .

中国专利 :CN101981501A ,2011-02-23

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