光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201510860952.5
申请日
2015-11-30
公开(公告)号
CN106325002A
公开(公告)日
2017-01-11
发明(设计)人
赖韦翰 张庆裕
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
G03F730 G03F742 G03F156 G03F176
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
双重图案化光刻技术 [P]. 
C·H·华莱士 ;
S·希瓦库马 ;
M·L·廷吉 ;
C·D·穆纳辛哈 ;
N·M·拉哈尔-乌拉比 .
中国专利 :CN104025256B ,2014-09-03
[2]
用于光刻图案化的方法 [P]. 
刘朕与 ;
张庆裕 ;
林进祥 .
中国专利 :CN108663909A ,2018-10-16
[3]
光刻技术方法 [P]. 
彼得·桑德贝尔根 ;
耶罗恩·H·拉默斯 ;
戴维·范斯滕温克尔 .
中国专利 :CN101258445B ,2008-09-03
[4]
光刻技术方法 [P]. 
彼得·桑德贝尔根 ;
耶罗恩·H·拉默斯 ;
戴维·范斯滕温克尔 .
中国专利 :CN101258446A ,2008-09-03
[5]
用于光刻技术的检查方法 [P]. 
A·邓鲍夫 ;
H·克拉莫 ;
P·海恩 .
中国专利 :CN102422227A ,2012-04-18
[6]
结合不同图案材料的光学光刻技术 [P]. 
曾晋沅 ;
洪继正 ;
陈俊光 ;
陈德芳 ;
刘如淦 ;
高蔡胜 ;
林纬良 .
中国专利 :CN106057665B ,2016-10-26
[7]
用于光刻图案化的方法 [P]. 
杨承翰 ;
吴宗翰 ;
张致玮 ;
林欣玫 ;
谢翊群 ;
张晞砚 .
中国专利 :CN109960106A ,2019-07-02
[8]
原子层沉积光刻技术 [P]. 
B·吴 ;
A·库玛 ;
O·那拉玛苏 .
中国专利 :CN104115257A ,2014-10-22
[9]
装置的光刻图案化 [P]. 
约翰·安德鲁·德弗兰科 ;
查尔斯·沃伦·赖特 ;
道格拉斯·罗贝特·罗贝洛 ;
弗兰克·沙维尔·伯恩 ;
黛安娜·卡罗尔·弗里曼 ;
特伦斯·罗伯特·欧图尔 .
中国专利 :CN107111254A ,2017-08-29
[10]
一种基于直接光刻技术的量子点图案化方法 [P]. 
唐爱伟 ;
陈仲 ;
满忠伟 .
中国专利 :CN121127098A ,2025-12-12