光电二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580018358.6

申请日：

2005-04-05

公开(公告)号：

CN1965414B

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

大桥启之石勉马场寿夫藤方润一牧田纪久夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

关兆辉;陆锦华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101610749676 IPC(主分类):H01L 31/0216 专利号:ZL2005800183586 申请日:20050405 授权公告日:20100929 终止日期:20140405
2007-05-16	公开	公开
2010-09-29	授权	授权
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

光电二极管及其制造方法 [P].

高峰 ;

宗立超 ;

王星杰 .

中国专利 :CN120129313A ,2025-06-10

[2]

光电二极管及其制造方法 [P].

霍攀杰 ;

徐泽驰 ;

胡艳 ;

岳爱文 .

中国专利 :CN117293214B ,2025-11-07

[3]

台面型光电二极管及其制造方法 [P].

渡边功 ;

厚井大明 .

中国专利 :CN101944549A ,2011-01-12

[4]

台面光电二极管及其制造方法 [P].

厚井大明 ;

渡边功 ;

松本卓 .

中国专利 :CN101989630A ,2011-03-23

[5]

CIS光电二极管及其制造方法 [P].

李佳龙 .

中国专利 :CN117410375A ,2024-01-16

[6]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

名田允洋 ;

松崎秀昭 .

中国专利 :CN111052405A ,2020-04-21

[7]

光电二极管及其制造方法 [P].

胡申业 .

中国专利 :CN101552303B ,2009-10-07

[8]

光电二极管及其制造方法 [P].

藤井慧 ;

石塚贵司 ;

秋田胜史 .

中国专利 :CN103477449A ,2013-12-25

[9]

光电二极管及其制造方法 [P].

司华青 ;

施长治 ;

陈年域 ;

闫旭亮 .

中国专利 :CN117747712A ,2024-03-22

[10]

光电二极管及其制造方法 [P].

K·G·奥佩尔曼 .

中国专利 :CN1197547A ,1998-10-28

← 1 2 3 4 5 →