光电二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280017393.6

申请日：

2012-04-04

公开(公告)号：

CN103477449A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

藤井慧石塚贵司秋田胜史

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L3110

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-25	公开	公开
2014-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101564923215 IPC(主分类):H01L 31/10 专利申请号:2012800173936 申请日:20120404
2016-09-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738767493 IPC(主分类):H01L 31/10 专利申请号:2012800173936 申请公布日:20131225

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN107437570B ,2017-12-05

[2]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

竹村亮太 ;

石村荣太郎 .

中国专利 :CN103390680A ,2013-11-13

[3]

硅光电二极管及其制造方法 [P].

崔峰敏 .

中国专利 :CN102376815A ,2012-03-14

[4]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

山口晴央 ;

竹村亮太 .

中国专利 :CN103811586B ,2014-05-21

[5]

光电二极管及其制造方法 [P].

胡申业 .

中国专利 :CN101552303B ,2009-10-07

[6]

光电二极管及其制造方法 [P].

司华青 ;

施长治 ;

陈年域 ;

闫旭亮 .

中国专利 :CN117747712A ,2024-03-22

[7]

光电二极管及其制造方法 [P].

K·G·奥佩尔曼 .

中国专利 :CN1197547A ,1998-10-28

[8]

光电二极管及其制造方法 [P].

高峰 ;

宗立超 ;

王星杰 .

中国专利 :CN120129313A ,2025-06-10

[9]

光电二极管及其制造方法 [P].

大桥启之 ;

石勉 ;

马场寿夫 ;

藤方润一 ;

牧田纪久夫 .

中国专利 :CN1965414B ,2007-05-16

[10]

光电二极管及其制造方法 [P].

霍攀杰 ;

徐泽驰 ;

胡艳 ;

岳爱文 .

中国专利 :CN117293214B ,2025-11-07

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