光电二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210686153.0

申请日：

2022-06-16

公开(公告)号：

CN117293214B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

霍攀杰徐泽驰胡艳岳爱文

申请人：

武汉光迅科技股份有限公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区流苏南路1号（自贸区武汉片区）

IPC主分类号：

H10F30/22

IPC分类号：

H10F30/223 H10F77/14 H10F71/00

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

张雪;吴素花

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/102申请日:20220616

共 50 条

[1]

光电二极管及其制造方法 [P].

高峰 ;

宗立超 ;

王星杰 .

中国专利 :CN120129313A ,2025-06-10

[2]

光电二极管及其制造方法 [P].

大桥启之 ;

石勉 ;

马场寿夫 ;

藤方润一 ;

牧田纪久夫 .

中国专利 :CN1965414B ,2007-05-16

[3]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

名田允洋 ;

松崎秀昭 .

中国专利 :CN111052405A ,2020-04-21

[4]

光电二极管及其制造方法 [P].

胡申业 .

中国专利 :CN101552303B ,2009-10-07

[5]

光电二极管及其制造方法 [P].

藤井慧 ;

石塚贵司 ;

秋田胜史 .

中国专利 :CN103477449A ,2013-12-25

[6]

光电二极管及其制造方法 [P].

司华青 ;

施长治 ;

陈年域 ;

闫旭亮 .

中国专利 :CN117747712A ,2024-03-22

[7]

光电二极管及其制造方法 [P].

K·G·奥佩尔曼 .

中国专利 :CN1197547A ,1998-10-28

[8]

光电二极管及其制造方法 [P].

L·E·尤里斯 ;

G·M·格朗杰 ;

K·J·戴维斯 ;

N·L·阿波哥 ;

P·D·布瑞维尔 ;

B·诺守 .

中国专利 :CN103545396B ,2014-01-29

[9]

光电二极管及光电二极管的制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN106558634B ,2017-04-05

[10]

光电二极管及其制作 [P].

T·弗拉克 .

中国专利 :CN101669218A ,2010-03-10

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