光电二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311853316.0

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN117747712A

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

司华青施长治陈年域闫旭亮

申请人：

上海联影微电子科技有限公司

申请人地址：

201800 上海市嘉定区皇庆路333号1幢8层B区

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/102 H01L31/0352

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

徐潇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20231228
2024-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

光电二极管及其制造方法 [P].

胡申业 .

中国专利 :CN101552303B ,2009-10-07

[2]

光电二极管及其制造方法 [P].

藤井慧 ;

石塚贵司 ;

秋田胜史 .

中国专利 :CN103477449A ,2013-12-25

[3]

光电二极管及其制造方法 [P].

K·G·奥佩尔曼 .

中国专利 :CN1197547A ,1998-10-28

[4]

光电二极管及其制造方法 [P].

高峰 ;

宗立超 ;

王星杰 .

中国专利 :CN120129313A ,2025-06-10

[5]

光电二极管及其制造方法 [P].

大桥启之 ;

石勉 ;

马场寿夫 ;

藤方润一 ;

牧田纪久夫 .

中国专利 :CN1965414B ,2007-05-16

[6]

光电二极管及其制造方法 [P].

霍攀杰 ;

徐泽驰 ;

胡艳 ;

岳爱文 .

中国专利 :CN117293214B ,2025-11-07

[7]

光电二极管及其制造方法 [P].

L·E·尤里斯 ;

G·M·格朗杰 ;

K·J·戴维斯 ;

N·L·阿波哥 ;

P·D·布瑞维尔 ;

B·诺守 .

中国专利 :CN103545396B ,2014-01-29

[8]

光电二极管及光电二极管的制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN106558634B ,2017-04-05

[9]

光电二极管及其制造工艺 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN109841701B ,2019-06-04

[10]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN107437570B ,2017-12-05

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