EUV光刻装置及用于处理光学元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980141048.1

申请日：

2009-10-15

公开(公告)号：

CN102187281B

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

沃尔夫冈·辛格关彦彬斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特德克·H·埃姆迪特尔·克劳斯斯蒂芬·威斯纳斯蒂芬·凯勒阿尔穆特·查普钟显耀

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F186

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	授权	授权
2011-09-14	公开	公开
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127322143 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2009801410481 申请日:20091015

共 50 条

[1]

制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

A.库兹尼佐夫 ;

M.格里森 ;

R.W.E.范德克鲁杰斯 ;

F.比杰科克 .

中国专利 :CN103635974A ,2014-03-12

[2]

修复EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

R.迈耶 ;

H.基利 ;

C.雅利奇 ;

E.伊娃 ;

R.温特 ;

A.施密特纳 ;

A.库兹涅佐夫 ;

V.斯洛弗 ;

C.诺特波姆 ;

W.默克尔 .

中国专利 :CN110050310A ,2019-07-23

[3]

反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法 [P].

D.H.埃姆 ;

A.多科纳尔 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN102576196A ,2012-07-11

[4]

用于沉积覆盖层的方法、EUV光刻系统和光学元件 [P].

D·埃赫姆 ;

M·贝克 ;

S·施密特 .

德国专利 :CN118235095A ,2024-06-21

[5]

EUV光刻的光学布置 [P].

N.贝尔 ;

T.格鲁纳 ;

U.洛林 .

中国专利 :CN104081284A ,2014-10-01

[6]

用于EUV光刻的光学配置 [P].

A.冈查尔 .

中国专利 :CN111886547A ,2020-11-03

[7]

用于EUV光刻的光学配置 [P].

A.冈查尔 .

德国专利 :CN111886547B ,2024-08-13

[8]

用于沉积外层的工艺、用于EUV波长范围的反射光学元件和EUV光刻系统 [P].

D·厄姆 ;

S·施密特 ;

A·马梅里 ;

F·罗泽博姆 .

德国专利 :CN117545873A ,2024-02-09

[9]

反射式光学元件和EUV光刻的光学系统 [P].

C.诺特伯姆 .

中国专利 :CN108496116B ,2018-09-04

[10]

基于激光辅助表面预处理光学元件制备方法及光学元件 [P].

康城玮 ;

杨少楚 ;

杨栋峰 ;

文博 .

中国专利 :CN121137809A ,2025-12-16

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