EUV光刻的光学布置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380006839.X

申请日：

2013-01-14

公开(公告)号：

CN104081284A

公开(公告)日：

2014-10-01

发明(设计)人：

N.贝尔 T.格鲁纳 U.洛林

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-01	公开	公开
2015-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:201380006839X 申请日:20130114 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599312597 IPC(主分类):G03F 7/20
2017-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

用于EUV光刻的投射曝光设备中的光学布置 [P].

V.库利特斯基 ;

B.盖尔里奇 ;

S.泽尔特 ;

关彦彬 ;

P.德费尔 ;

A.沃姆布兰德 .

中国专利 :CN105137718A ,2015-12-09

[2]

用于EUV光刻的投射曝光设备中的光学布置 [P].

V.库利特斯基 ;

B.盖尔里奇 ;

S.泽尔特 ;

关彦彬 ;

P.德费尔 ;

A.沃姆布兰德 .

中国专利 :CN102549503A ,2012-07-04

[3]

用于EUV光刻的光学配置 [P].

A.冈查尔 .

中国专利 :CN111886547A ,2020-11-03

[4]

用于EUV光刻的光学配置 [P].

A.冈查尔 .

德国专利 :CN111886547B ,2024-08-13

[5]

修复EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

R.迈耶 ;

H.基利 ;

C.雅利奇 ;

E.伊娃 ;

R.温特 ;

A.施密特纳 ;

A.库兹涅佐夫 ;

V.斯洛弗 ;

C.诺特波姆 ;

W.默克尔 .

中国专利 :CN110050310A ,2019-07-23

[6]

EUV光刻掩膜版 [P].

王光荣 ;

李建新 ;

巫奉伦 ;

夏忠平 .

中国专利 :CN216434662U ,2022-05-03

[7]

制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

A.库兹尼佐夫 ;

M.格里森 ;

R.W.E.范德克鲁杰斯 ;

F.比杰科克 .

中国专利 :CN103635974A ,2014-03-12

[8]

反射式光学元件和EUV光刻的光学系统 [P].

C.诺特伯姆 .

中国专利 :CN108496116B ,2018-09-04

[9]

EUV光刻装置及用于处理光学元件的方法 [P].

沃尔夫冈·辛格 ;

关彦彬 ;

斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特 ;

德克·H·埃姆 ;

迪特尔·克劳斯 ;

斯蒂芬·威斯纳 ;

斯蒂芬·凯勒 ;

阿尔穆特·查普 ;

钟显耀 .

中国专利 :CN102187281B ,2011-09-14

[10]

延长EUV光刻系统中的光学元件的使用寿命 [P].

马悦 ;

A·T·W·肯彭 ;

K·M·休姆勒 ;

J·H·J·穆尔斯 ;

J·H·罗梅斯 ;

H·J·范德威尔 ;

A·D·拉弗格 ;

F·布里祖拉 ;

R·C·怀格斯 ;

U·P·戈梅斯 ;

E·内达诺维斯卡 ;

C·科科玛兹 ;

A·D·金 ;

R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯 ;

H·A·L·范迪杰克 ;

W·P·范德伦特 ;

P·G·琼克斯 ;

朱秋石 ;

P·雅格霍比 ;

J·S·C·韦斯特拉肯 ;

M·H·A·里恩德斯 ;

A·I·厄肖夫 ;

I·V·福门科夫 ;

刘飞 ;

J·H·W·雅各布斯 ;

A·S·库兹内特索夫 .

:CN111837076B ,2025-02-28

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