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EUV光刻掩膜版
被引:0
申请号
:
CN202122587469.8
申请日
:
2021-10-26
公开(公告)号
:
CN216434662U
公开(公告)日
:
2022-05-03
发明(设计)人
:
王光荣
李建新
巫奉伦
夏忠平
申请人
:
申请人地址
:
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号
:
G03F138
IPC分类号
:
G03F148
代理机构
:
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
:
陈超德;吴昊
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-03
授权
授权
共 50 条
[1]
掩膜版
[P].
王伟
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0
王伟
;
詹志锋
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詹志锋
;
王研鑫
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王研鑫
.
中国专利
:CN108315712B
,2018-07-24
[2]
掩膜版
[P].
孙琳
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孙琳
;
李露露
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李露露
;
王恩霞
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王恩霞
;
李世泰
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李世泰
;
李慧
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李慧
.
中国专利
:CN112575288A
,2021-03-30
[3]
掩膜版
[P].
黄世雄
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黄世雄
;
文小雪
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文小雪
;
谢涛峰
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谢涛峰
;
黄倍慈
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黄倍慈
.
中国专利
:CN113481468A
,2021-10-08
[4]
在EUV光刻制程期间使用的EUV掩膜
[P].
M·辛格
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M·辛格
.
中国专利
:CN104656367A
,2015-05-27
[5]
在EUV光刻制程期间使用EUV掩膜的方法
[P].
M·辛格
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M·辛格
.
中国专利
:CN107193182B
,2017-09-22
[6]
掩膜版的制备方法及掩膜版
[P].
吕磊
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机构:
潍坊歌尔电子有限公司
潍坊歌尔电子有限公司
吕磊
;
隋运武
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潍坊歌尔电子有限公司
潍坊歌尔电子有限公司
隋运武
;
任清江
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潍坊歌尔电子有限公司
潍坊歌尔电子有限公司
任清江
;
林昌廷
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机构:
潍坊歌尔电子有限公司
潍坊歌尔电子有限公司
林昌廷
;
汤颖颖
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机构:
潍坊歌尔电子有限公司
潍坊歌尔电子有限公司
汤颖颖
.
中国专利
:CN119491186A
,2025-02-21
[7]
EUV光刻用EUV活性膜
[P].
罗伯特·克拉克
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机构:
东京毅力科创株式会社
东京毅力科创株式会社
罗伯特·克拉克
.
日本专利
:CN118284855A
,2024-07-02
[8]
光掩膜版及其光掩膜
[P].
松本洋介
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松本洋介
.
中国专利
:CN101713913A
,2010-05-26
[9]
光掩膜版及光掩膜
[P].
长濑博幸
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长濑博幸
.
中国专利
:CN101661223A
,2010-03-03
[10]
掩膜版及其制备方法
[P].
张峰杰
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机构:
京东方科技集团股份有限公司
京东方科技集团股份有限公司
张峰杰
;
王伟杰
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机构:
京东方科技集团股份有限公司
京东方科技集团股份有限公司
王伟杰
;
张可忆
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机构:
京东方科技集团股份有限公司
京东方科技集团股份有限公司
张可忆
;
薛金祥
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机构:
京东方科技集团股份有限公司
京东方科技集团股份有限公司
薛金祥
;
孙中元
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机构:
京东方科技集团股份有限公司
京东方科技集团股份有限公司
孙中元
.
中国专利
:CN118497664A
,2024-08-16
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