在EUV光刻制程期间使用的EUV掩膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410646186.8

申请日：

2014-11-14

公开(公告)号：

CN104656367A

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

M·辛格

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

G03F124

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/24 申请日:20141114 授权公告日:20170711 终止日期:20201114
2021-06-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G03F 1/24 登记生效日:20210610 变更事项:专利权人变更前权利人:格罗方德半导体公司变更后权利人:格芯（美国）集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州
2015-05-27	公开	公开
2017-07-11	授权	授权
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614599560 IPC(主分类):G03F 1/24 专利申请号:2014106461868 申请日:20141114

共 50 条

[1]

在EUV光刻制程期间使用EUV掩膜的方法 [P].

M·辛格 .

中国专利 :CN107193182B ,2017-09-22

[2]

EUV光刻掩膜版 [P].

王光荣 ;

李建新 ;

巫奉伦 ;

夏忠平 .

中国专利 :CN216434662U ,2022-05-03

[3]

EUV光刻用EUV活性膜 [P].

罗伯特·克拉克 .

日本专利 :CN118284855A ,2024-07-02

[4]

用于EUV光刻的表膜 [P].

保罗·亚历山大·维梅伦 ;

V·D·希尔德布兰德 ;

I·唐梅兹诺扬 .

:CN118891582A ,2024-11-01

[5]

用于EUV光刻的表膜 [P].

A·沙菲科夫 ;

F·毕爵柯克 ;

B·斯科林克 ;

J·M·斯特姆 ;

R·W·E·范德克鲁伊爵斯 .

中国专利 :CN113646697A ,2021-11-12

[6]

用于EUV光刻的护膜 [P].

洪朱憙 ;

朴铁均 ;

崔文洙 ;

金东会 .

韩国专利 :CN117471844A ,2024-01-30

[7]

用于EUV光刻术的表膜 [P].

D·德格拉夫 ;

R·博德里 ;

M·比龙 ;

保罗·詹森 ;

T·卡特 ;

K·科尔内森 ;

M·A·J·库伊肯 ;

J·H·W·昆特泽 ;

S·马特尔 ;

马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;

G·萨尔玛索 ;

彼得-詹·范兹沃勒 .

:CN120010178A ,2025-05-16

[8]

用于EUV光刻术的表膜 [P].

D·德格拉夫 ;

R·博德里 ;

M·比龙 ;

保罗·詹森 ;

T·卡特 ;

K·科尔内森 ;

M·A·J·库伊肯 ;

J·H·W·昆特泽 ;

S·马特尔 ;

马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;

G·萨尔玛索 ;

彼得-詹·范兹沃勒 .

中国专利 :CN112041743A ,2020-12-04

[9]

用于EUV光刻术的表膜 [P].

D·德格拉夫 ;

R·博德里 ;

M·比龙 ;

保罗·詹森 ;

T·卡特 ;

K·科尔内森 ;

M·A·J·库伊肯 ;

J·H·W·昆特泽 ;

S·马特尔 ;

马克西姆·A·纳萨勒维奇 ;

G·萨尔玛索 ;

彼得-詹·范兹沃勒 .

:CN112041743B ,2025-04-11

[10]

EUV光刻设备的保护模块以及EUV光刻设备 [P].

德克·H·埃姆 ;

蒂莫·劳弗 ;

本·班尼 ;

詹斯·库格勒 ;

乌尔里克·尼肯 ;

弗兰兹·凯勒 .

中国专利 :CN102144190A ,2011-08-03

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