原子层沉积装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110559693.8
申请日
2021-05-21
公开(公告)号
CN113373430A
公开(公告)日
2021-09-10
发明(设计)人
张海飞 张洪国 焦恒刚
申请人
申请人地址
226000 江苏省南通市开发区崇州大道60号紫琅科技城12B号楼二层
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
代理机构
南通鼎点知识产权代理事务所(普通合伙) 32442
代理人
施荣华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
原子层沉积装置 [P]. 
夏洋 .
中国专利 :CN108715999A ,2018-10-30
[2]
原子层沉积装置 [P]. 
夏洋 .
中国专利 :CN208649461U ,2019-03-26
[3]
原子层沉积装置 [P]. 
张洪国 ;
唐继远 ;
汤晨宇 ;
徐冉 ;
夏益伟 ;
周同亮 .
中国专利 :CN220503191U ,2024-02-20
[4]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
刘良文 ;
闫晓晖 ;
拉海忠 .
中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11
[5]
原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P]. 
叶长福 ;
魏鼎 ;
吕佐文 .
中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26
[6]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
李名言 ;
吴孝哲 ;
蔡文立 .
中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31
[8]
原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P]. 
郭世根 ;
项金娟 ;
刘青 .
中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15
[9]
原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P]. 
曹生贤 .
中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12
[10]
原子层沉积方法和原子层沉积装置 [P]. 
佐藤英儿 ;
坂本仁志 .
日本专利 :CN120153123A ,2025-06-13