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原子层沉积装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110559693.8
申请日
:
2021-05-21
公开(公告)号
:
CN113373430A
公开(公告)日
:
2021-09-10
发明(设计)人
:
张海飞
张洪国
焦恒刚
申请人
:
申请人地址
:
226000 江苏省南通市开发区崇州大道60号紫琅科技城12B号楼二层
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
代理机构
:
南通鼎点知识产权代理事务所(普通合伙) 32442
代理人
:
施荣华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20210521
2021-09-10
公开
公开
共 50 条
[1]
原子层沉积装置
[P].
夏洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
夏洋
.
中国专利
:CN108715999A
,2018-10-30
[2]
原子层沉积装置
[P].
夏洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
夏洋
.
中国专利
:CN208649461U
,2019-03-26
[3]
原子层沉积装置
[P].
张洪国
论文数:
0
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0
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0
机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
张洪国
;
唐继远
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0
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0
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
唐继远
;
汤晨宇
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0
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
汤晨宇
;
徐冉
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
徐冉
;
夏益伟
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0
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机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
夏益伟
;
周同亮
论文数:
0
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0
机构:
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
江苏鹏举半导体设备技术有限公司
周同亮
.
中国专利
:CN220503191U
,2024-02-20
[4]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
刘良文
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘良文
;
闫晓晖
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
闫晓晖
;
拉海忠
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
拉海忠
.
中国专利
:CN119800330A
,2025-04-11
[5]
原子层沉积方法及原子层沉积装置
[P].
叶长福
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
叶长福
;
魏鼎
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
魏鼎
;
吕佐文
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机构:
福建省晋华集成电路有限公司
福建省晋华集成电路有限公司
吕佐文
.
中国专利
:CN117265508B
,2025-09-26
[6]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
李名言
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李名言
;
吴孝哲
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吴孝哲
;
蔡文立
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蔡文立
.
中国专利
:CN101333648A
,2008-12-31
[7]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
郭世根
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0
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
郭世根
;
项金娟
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
项金娟
;
刘青
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘青
.
中国专利
:CN114351116B
,2024-12-31
[8]
原子层沉积装置及原子层沉积方法
[P].
郭世根
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0
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郭世根
;
项金娟
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项金娟
;
刘青
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刘青
.
中国专利
:CN114351116A
,2022-04-15
[9]
原子层沉积装置及原子层沉积系统
[P].
曹生贤
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曹生贤
.
中国专利
:CN106030848B
,2016-10-12
[10]
原子层沉积方法和原子层沉积装置
[P].
佐藤英儿
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0
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0
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机构:
新烯控股有限公司
新烯控股有限公司
佐藤英儿
;
坂本仁志
论文数:
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机构:
新烯控股有限公司
新烯控股有限公司
坂本仁志
.
日本专利
:CN120153123A
,2025-06-13
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