一种沉积氮化钛薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610055250.4

申请日：

2016-01-27

公开(公告)号：

CN105551954A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

封铁柱

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L213205

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	公开	公开
2019-09-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/311 申请公布日:20160504
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662919699 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2016100552504 申请日:20160127

共 50 条

[1]

氮化钛薄膜沉积方法 [P].

高晓丽 ;

丁培军 ;

王厚工 ;

刘菲菲 ;

宋海洋 .

中国专利 :CN110965023A ,2020-04-07

[2]

一种原子层沉积氮化钛薄膜方法及原子层沉积设备 [P].

明帅强 ;

戴昕童 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120649004A ,2025-09-16

[3]

一种氮化钛薄膜的制备方法和氮化钛薄膜 [P].

明帅强 ;

张亦哲 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120967326A ,2025-11-18

[4]

一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构 [P].

胡颖 ;

熊高伟 ;

刘超飞 .

中国专利 :CN119774559A ,2025-04-08

[5]

一种氮化钛薄膜的生长方法、装置、设备及介质 [P].

明帅强 ;

陈鸿飞 ;

方佳倩 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

张凌云 ;

储昭志 ;

王欣 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120210767A ,2025-06-27

[6]

氮化钛薄膜的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

董广志 ;

朱养妮 ;

江新标 .

中国专利 :CN104928656A ,2015-09-23

[7]

一种螺旋波等离子体反应溅射沉积制备氮化钛薄膜的方法 [P].

黄天源 ;

李茂洋 ;

季佩宇 ;

吴雪梅 .

中国专利 :CN115074689A ,2022-09-20

[8]

一种室温下制备氮化钛薄膜的方法 [P].

崔晓莉 ;

马明 .

中国专利 :CN101109097A ,2008-01-23

[9]

钛/氮化钛纳米复合硬质薄膜的制备方法 [P].

毛启明 ;

牟海川 ;

姜来新 .

中国专利 :CN102051598A ,2011-05-11

[10]

一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法 [P].

洪文晶 ;

曾巧珍 ;

黄怡然 ;

洪贵春 ;

王雅思 ;

李秀婷 ;

林俊江 ;

李晶 .

中国专利 :CN120809571A ,2025-10-17

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