一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311287192.4

申请日：

2023-10-07

公开(公告)号：

CN119774559A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

胡颖熊高伟刘超飞

申请人：

武汉楚兴技术有限公司

申请人地址：

430040 湖北省武汉市东西湖区径河街网安大道7号

IPC主分类号：

C01B21/076

IPC分类号：

H01L21/768 H01L23/528 H01L23/532 C23C16/34 C23C16/44

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张思淼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 21/076申请日:20231007
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化钛薄膜的制备方法和氮化钛薄膜 [P].

明帅强 ;

张亦哲 ;

夏洋 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120967326A ,2025-11-18

[2]

氮化钛薄膜的制备方法 [P].

樊慧庆 ;

董广志 ;

朱养妮 ;

江新标 .

中国专利 :CN104928656A ,2015-09-23

[3]

一种沉积氮化钛薄膜的方法 [P].

封铁柱 .

中国专利 :CN105551954A ,2016-05-04

[4]

氮化钛薄膜制备方法及系统 [P].

赵强 ;

魏学宏 ;

刘长安 .

中国专利 :CN103540894A ,2014-01-29

[5]

氮化钛薄膜沉积方法 [P].

高晓丽 ;

丁培军 ;

王厚工 ;

刘菲菲 ;

宋海洋 .

中国专利 :CN110965023A ,2020-04-07

[6]

铬掺杂氮化钛磁性半导体多晶薄膜的制备方法 [P].

米文搏 ;

叶天宇 ;

白海力 .

中国专利 :CN101736303A ,2010-06-16

[7]

氮化钛薄膜生长方法及其半导体器件 [P].

郝燕霞 .

中国专利 :CN114300349A ,2022-04-08

[8]

钛/氮化钛纳米复合硬质薄膜的制备方法 [P].

毛启明 ;

牟海川 ;

姜来新 .

中国专利 :CN102051598A ,2011-05-11

[9]

氮化钛薄膜溅射方法以及半导体器件制造方法 [P].

韩晓刚 ;

陈建维 .

中国专利 :CN102394218A ,2012-03-28

[10]

氮化钛薄膜及金属互连结构的制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

魏晓平 ;

左明光 .

中国专利 :CN119361429A ,2025-01-24

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