氮化钛薄膜生长方法及其半导体器件

被引：0

申请号：

CN202111441718.0

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114300349A

公开(公告)日：

2022-04-08

发明(设计)人：

郝燕霞

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

C23C1634 C23C1640 C23C1656

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化钛薄膜溅射方法以及半导体器件制造方法 [P].

韩晓刚 ;

陈建维 .

中国专利 :CN102394218A ,2012-03-28

[2]

氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法 [P].

日野智公 ;

浅野竹春 ;

朝妻庸纪 ;

喜嶋悟 ;

船户健次 ;

富谷茂隆 .

中国专利 :CN1147921C ,2000-06-28

[3]

一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构 [P].

胡颖 ;

熊高伟 ;

刘超飞 .

中国专利 :CN119774559A ,2025-04-08

[4]

栅极氧化层生长方法、半导体器件制备方法和半导体器件 [P].

欧阳文森 ;

崔敏 ;

王胜林 .

中国专利 :CN119653776A ,2025-03-18

[5]

生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

卢宗铉 ;

崔珉硕 ;

金泰亨 .

中国专利 :CN104009130B ,2014-08-27

[6]

半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN100543939C ,2007-02-21

[7]

本征外延生长方法、半导体结构和半导体器件 [P].

陆爱军 .

中国专利 :CN119811985A ,2025-04-11

[8]

氮化半导体器件及其制造方法 [P].

长滨慎一 ;

中村修二 .

中国专利 :CN1157804C ,2002-03-13

[9]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[10]

用于半导体器件的外延膜生长方法 [P].

青山亨 .

中国专利 :CN1157477A ,1997-08-20

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