基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711177574.6

申请日：

2017-11-23

公开(公告)号：

CN107994099B

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

王涛李洁赵清华张颖菡殷子昂王维介万奇

申请人：

申请人地址：

710072 陕西省西安市友谊西路127号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31112 H01L31032

代理机构：

西北工业大学专利中心 61204

代理人：

王鲜凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20171123
2018-05-04	公开	公开
2019-08-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维材料场效应晶体管及制备方法 [P].

杨亿斌 ;

招瑜 ;

肖也 ;

牟中飞 ;

李京波 .

中国专利 :CN105826368A ,2016-08-03

[2]

二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

李绍娟 .

中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11

[3]

基于二维材料制备的场效应晶体管 [P].

汤乃云 ;

马逸晨 .

中国专利 :CN209515673U ,2019-10-18

[4]

二维材料场效应晶体管及其制造方法 [P].

綦殿禹 ;

许凯 ;

方文章 ;

钟欢 ;

姚一洋 ;

李海川 ;

胡沈醉 .

中国专利 :CN118588568A ,2024-09-03

[5]

氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

刘宏宇 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

盛百城 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743881A ,2022-07-12

[6]

氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

刘宏宇 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

卜爱民 ;

许靖 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743883A ,2022-07-12

[7]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[8]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[9]

一种二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

高学栋 ;

冯志红 ;

蔚翠 ;

何泽召 ;

刘庆彬 ;

郭建超 ;

周闯杰 .

中国专利 :CN112309846B ,2021-02-02

[10]

场效应晶体管制造方法及场效应晶体管 [P].

李伟 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN109643655B ,2019-04-16

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