以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610023732.8

申请日：

2006-01-27

公开(公告)号：

CN1828837B

公开(公告)日：

2006-09-06

发明(设计)人：

雷本亮于广辉王笑龙齐鸣孟胜李爱珍

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

潘振甦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-04-20	授权	授权
2011-08-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101180490983 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2006100237328 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所变更后权利人:德泓(福建)光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号变更后权利人:364101 福建永定工业园区登记生效日:20110721
2019-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20060127 授权公告日:20110420 终止日期:20180127
2006-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多孔氮化镓衬底的处理方法及氮化镓膜的生长方法 [P].

王新中 ;

王瑞春 ;

谢华 ;

何国荣 ;

刘德新 ;

杜军 ;

高潮 .

中国专利 :CN102644119A ,2012-08-22

[2]

制造氮化镓衬底的方法 [P].

金美贤 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

卓泳助 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN107978659A ,2018-05-01

[3]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[4]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

[5]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[6]

氮化镓生长方法 [P].

段瑞飞 ;

魏同波 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101728248A ,2010-06-09

[7]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[8]

氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片 [P].

藤田俊介 .

中国专利 :CN101353819A ,2009-01-28

[9]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[10]

氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN101311379A ,2008-11-26

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