一种非对称超薄SOIMOS晶体管结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310478396.6

申请日：

2013-10-14

公开(公告)号：

CN104576381B

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

尹海洲张珂珂

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2910

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	授权	授权
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611390222 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013104783966 申请日:20131014
2015-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104465752A ,2015-03-25

[2]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103187447A ,2013-07-03

[3]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103000523B ,2013-03-27

[4]

PMOS晶体管结构及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103000525B ,2013-03-27

[5]

一种MOS晶体管结构及其制造方法 [P].

李睿 ;

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104733318A ,2015-06-24

[6]

一种MOS晶体管结构及其制造方法 [P].

李睿 ;

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104733319A ,2015-06-24

[7]

晶体管结构及其制造方法 [P].

刘洋 ;

杨渝书 ;

耿金鹏 .

中国专利 :CN118866683A ,2024-10-29

[8]

高压非对称晶体管结构及其制备方法 [P].

苗彬彬 ;

熊涛 ;

金峰 .

中国专利 :CN102479815A ,2012-05-30

[9]

一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

陈文新 ;

张志宽 ;

黄如 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN1328795C ,2004-10-27

[10]

一种非对称FinFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

张珂珂 .

中国专利 :CN104576382B ,2015-04-29

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