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半导体器件以及制造半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201010286621.2
申请日
:
2010-09-10
公开(公告)号
:
CN102024716B
公开(公告)日
:
2011-04-20
发明(设计)人
:
林耀剑
申请人
:
申请人地址
:
新加坡新加坡市
IPC主分类号
:
H01L2156
IPC分类号
:
H01L2160
H01L2331
H01L23485
H01L23488
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
臧霁晨;高为
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-11-07
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101342709703 IPC(主分类):H01L 21/56 专利申请号:2010102866212 申请日:20100910
2011-04-20
公开
公开
2015-09-02
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
戈登·M·格里芙尼亚
论文数:
0
引用数:
0
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0
戈登·M·格里芙尼亚
.
中国专利
:CN108538732A
,2018-09-14
[2]
半导体器件、半导体封装以及制造半导体器件的方法
[P].
白石千
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0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
白石千
;
金叙炫
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金叙炫
;
白敏
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
白敏
;
李明俊
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0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李明俊
;
李旨浩
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0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李旨浩
.
韩国专利
:CN120187038A
,2025-06-20
[3]
半导体封装、半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
[P].
北和田尚志
论文数:
0
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0
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0
北和田尚志
.
中国专利
:CN111696946A
,2020-09-22
[4]
半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法
[P].
野本隆司
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野本隆司
;
米田义之
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米田义之
;
中村公一
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中村公一
.
中国专利
:CN103390612B
,2013-11-13
[5]
半导体器件以及半导体器件制造方法
[P].
千野根崇子
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千野根崇子
;
梁吉镐
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梁吉镐
;
柴田康之
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柴田康之
;
东野二郎
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东野二郎
.
中国专利
:CN101764185B
,2010-06-30
[6]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
高地泰三
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高地泰三
;
胁山悟
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0
胁山悟
.
中国专利
:CN103681711A
,2014-03-26
[7]
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[P].
清水二二男
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清水二二男
;
可知刚
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可知刚
;
吉田芳规
论文数:
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0
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吉田芳规
.
中国专利
:CN112103288A
,2020-12-18
[8]
半导体器件的制造方法以及半导体器件
[P].
木城耕一
论文数:
0
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0
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0
木城耕一
.
中国专利
:CN1862790A
,2006-11-15
[9]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
金炳烈
论文数:
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金炳烈
;
大谷洋一
论文数:
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大谷洋一
;
陈晓萌
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陈晓萌
.
中国专利
:CN101140933B
,2008-03-12
[10]
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[P].
杜子明
论文数:
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
杜子明
;
杜卫星
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
杜卫星
;
游政昇
论文数:
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
游政昇
.
中国专利
:CN117393596A
,2024-01-12
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