半导体器件以及制造半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010286621.2
申请日
2010-09-10
公开(公告)号
CN102024716B
公开(公告)日
2011-04-20
发明(设计)人
林耀剑
申请人
申请人地址
新加坡新加坡市
IPC主分类号
H01L2156
IPC分类号
H01L2160 H01L2331 H01L23485 H01L23488
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
臧霁晨;高为
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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戈登·M·格里芙尼亚 .
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金叙炫 ;
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[7]
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[10]
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