等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980065060.2
申请日
2019-09-23
公开(公告)号
CN112771201A
公开(公告)日
2021-05-07
发明(设计)人
J·帕茨谢德尔 H·罗尔曼 J·维查尔特 F·布里特
申请人
申请人地址
瑞士特吕巴赫
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
C23C1640 C23C16507 H01J3732
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
危凯权;杨忠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
王东君 .
中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04
[2]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22
[3]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17
[4]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
秦海丰 ;
郑波 ;
史小平 ;
兰云峰 ;
张文强 ;
王昊 ;
任晓艳 .
中国专利 :CN113106422A ,2021-07-13
[5]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
彭奕博 ;
伊明辉 ;
姚立柱 ;
刘连瑞 ;
张丛 .
中国专利 :CN120575157A ,2025-09-02
[6]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321A ,2025-08-05
[7]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321B ,2025-09-12
[8]
一种新型等离子体增强原子层沉积设备和等离子体辅助原子层沉积薄膜的方法 [P]. 
连水养 ;
张志轩 ;
吴金龙 ;
张婧 ;
王伟昌 .
中国专利 :CN120099494A ,2025-06-06
[9]
使用钌前驱物的等离子体增强原子层沉积(PEALD)方法 [P]. 
P·S·H·陈 ;
B·C·亨德里克斯 ;
T·H·鲍姆 ;
E·孔多 .
中国专利 :CN113039309A ,2021-06-25
[10]
一种等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
陈灿强 ;
曹勇 ;
郭宏辉 ;
杨智 ;
王岳凡 ;
海旭 .
中国专利 :CN223316781U ,2025-09-09