等离子体增强原子层沉积设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411330698.3
申请日
2024-09-23
公开(公告)号
CN119144944A
公开(公告)日
2024-12-17
发明(设计)人
朱雨
申请人
深圳若隅科技有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙飞大道333号启迪协信4栋305-A10
IPC主分类号
C23C16/455
IPC分类号
C23C16/511
代理机构
深圳汇策知识产权代理事务所(普通合伙) 44487
代理人
梁超
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22
[2]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
王东君 .
中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04
[3]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
彭奕博 ;
伊明辉 ;
姚立柱 ;
刘连瑞 ;
张丛 .
中国专利 :CN120575157A ,2025-09-02
[4]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321A ,2025-08-05
[5]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321B ,2025-09-12
[6]
等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P]. 
J·帕茨谢德尔 ;
H·罗尔曼 ;
J·维查尔特 ;
F·布里特 .
中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07
[7]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
秦海丰 ;
郑波 ;
史小平 ;
兰云峰 ;
张文强 ;
王昊 ;
任晓艳 .
中国专利 :CN113106422A ,2021-07-13
[8]
一种等离子体发生装置及等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
陈磊 ;
李炎 ;
程厚义 ;
杜寅昌 ;
李玉婷 .
中国专利 :CN120614741A ,2025-09-09
[9]
一种等离子体发生装置及等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
陈磊 ;
李炎 ;
程厚义 ;
杜寅昌 ;
李玉婷 .
中国专利 :CN120614741B ,2025-11-07
[10]
一种等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
陈灿强 ;
曹勇 ;
郭宏辉 ;
杨智 ;
王岳凡 ;
海旭 .
中国专利 :CN223316781U ,2025-09-09