一种等离子体发生装置及等离子体增强原子层沉积设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511121389.X
申请日
2025-08-12
公开(公告)号
CN120614741B
公开(公告)日
2025-11-07
发明(设计)人
陈磊 李炎 程厚义 杜寅昌 李玉婷
申请人
合肥致真精密设备有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区站北社区铜陵北路与西淝河路交叉口芯视界·科创大厦A栋9层
IPC主分类号
H05H1/46
IPC分类号
C23C16/455 C23C16/02 C23C16/46 C23C16/505 C23C16/52
代理机构
安徽知问律师事务所 34134
代理人
屈利颍
法律状态
实质审查的生效
国省代码
安徽省 安庆市
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共 50 条
[1]
一种等离子体发生装置及等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
陈磊 ;
李炎 ;
程厚义 ;
杜寅昌 ;
李玉婷 .
中国专利 :CN120614741A ,2025-09-09
[2]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
王东君 .
中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04
[3]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22
[4]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17
[5]
一种等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
陈灿强 ;
曹勇 ;
郭宏辉 ;
杨智 ;
王岳凡 ;
海旭 .
中国专利 :CN223316781U ,2025-09-09
[6]
等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P]. 
J·帕茨谢德尔 ;
H·罗尔曼 ;
J·维查尔特 ;
F·布里特 .
中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07
[7]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
彭奕博 ;
伊明辉 ;
姚立柱 ;
刘连瑞 ;
张丛 .
中国专利 :CN120575157A ,2025-09-02
[8]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
秦海丰 ;
郑波 ;
史小平 ;
兰云峰 ;
张文强 ;
王昊 ;
任晓艳 .
中国专利 :CN113106422A ,2021-07-13
[9]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321A ,2025-08-05
[10]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321B ,2025-09-12