一种新型等离子体增强原子层沉积设备和等离子体辅助原子层沉积薄膜的方法

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专利类型
发明
申请号
CN202510279526.6
申请日
2025-03-11
公开(公告)号
CN120099494A
公开(公告)日
2025-06-06
发明(设计)人
连水养 张志轩 吴金龙 张婧 王伟昌
申请人
厦门芯壹方科技有限公司
申请人地址
361000 福建省厦门市集美区理工路600号逸夫楼1号楼308室94单元
IPC主分类号
C23C16/455
IPC分类号
C23C16/30 C23C16/50 C23C16/44 H01J37/32
代理机构
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218
代理人
刘小勤
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
王东君 .
中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04
[2]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22
[3]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17
[4]
等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P]. 
J·帕茨谢德尔 ;
H·罗尔曼 ;
J·维查尔特 ;
F·布里特 .
中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07
[5]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
秦海丰 ;
郑波 ;
史小平 ;
兰云峰 ;
张文强 ;
王昊 ;
任晓艳 .
中国专利 :CN113106422A ,2021-07-13
[6]
等离子体增强原子层沉积系统和方法 [P]. 
松田司 .
中国专利 :CN101147248A ,2008-03-19
[7]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
彭奕博 ;
伊明辉 ;
姚立柱 ;
刘连瑞 ;
张丛 .
中国专利 :CN120575157A ,2025-09-02
[8]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321A ,2025-08-05
[9]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321B ,2025-09-12
[10]
微波等离子体辅助原子层沉积设备 [P]. 
王东君 ;
陈宇林 ;
郭敏 .
中国专利 :CN218146935U ,2022-12-27