一种大功率IGBT芯片的封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820821193.0

申请日：

2018-05-30

公开(公告)号：

CN208352289U

公开(公告)日：

2019-01-08

发明(设计)人：

朱继权

申请人：

申请人地址：

629000 四川省遂宁市经济开发区兴宁路36号

IPC主分类号：

H01L2338

IPC分类号：

H01L23367 H01L29739

代理机构：

成都巾帼知识产权代理有限公司 51260

代理人：

潘文林

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/38 申请日:20180530 授权公告日:20190108 终止日期:20190530
2019-01-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大功率IGBT模块封装结构 [P].

张朋 ;

韩荣刚 ;

于坤山 .

中国专利 :CN203103275U ,2013-07-31

[2]

大功率IGBT平板压接式封装结构 [P].

陈国贤 ;

徐宏伟 ;

陈蓓璐 .

中国专利 :CN202120917U ,2012-01-18

[3]

一种大功率多芯片封装结构 [P].

张永夫 ;

林刚强 .

中国专利 :CN201247774Y ,2009-05-27

[4]

一种大功率IGBT模块封装结构 [P].

张朋 ;

韩荣刚 ;

于坤山 ;

金锐 ;

杨霏 .

中国专利 :CN103035587A ,2013-04-10

[5]

一种大功率芯片封装结构 [P].

索薪涛 ;

胡娅 ;

胡松 .

中国专利 :CN214428632U ,2021-10-19

[6]

一种大功率芯片封装结构 [P].

龙立 .

中国专利 :CN207367955U ,2018-05-15

[7]

一种大功率芯片封装结构 [P].

李勇 .

中国专利 :CN221057403U ,2024-05-31

[8]

一种大功率芯片封装结构 [P].

刘水灵 ;

毛忠宇 ;

蒋学东 .

中国专利 :CN207353229U ,2018-05-11

[9]

一种大功率芯片的封装结构 [P].

黄素娟 .

中国专利 :CN202178250U ,2012-03-28

[10]

一种大功率LED芯片集成封装结构 [P].

杜姬芳 ;

王伟 ;

孟勇亮 ;

王玉薇 .

中国专利 :CN203839375U ,2014-09-17

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