DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011306041.5

申请日：

2020-11-19

公开(公告)号：

CN112531086A

公开(公告)日：

2021-03-19

发明(设计)人：

王庆何敏游栗伟陈大钟洪灵愿林素慧张中英

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号

IPC主分类号：

H01L3346

IPC分类号：

H01L2715

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479

代理人：

高园园

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	授权	授权
2021-03-19	公开	公开
2021-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/46 申请日:20201119

共 50 条

[1]

DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板 [P].

王庆 ;

栗伟 ;

何敏游 ;

刘士伟 ;

洪灵愿 ;

林素慧 ;

张中英 .

中国专利 :CN113826222A ,2021-12-21

[2]

一种LED芯片、半导体发光器件及显示面板 [P].

胡鹏杰 ;

柯韦帆 ;

彭钰仁 ;

郭桓邵 ;

洪正道 ;

丘建生 .

中国专利 :CN120936171A ,2025-11-11

[3]

半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR 的方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN104242055A ,2014-12-24

[4]

一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置 [P].

黄苡叡 ;

林宗民 ;

张中英 ;

邓有财 .

中国专利 :CN113540313A ,2021-10-22

[5]

半导体发光器件及制造方法 [P].

周东发 .

中国专利 :CN1825641A ,2006-08-30

[6]

半导体发光芯片及半导体发光器件 [P].

新田康一 ;

中村隆文 ;

紺野邦明 ;

赤池康彦 ;

远藤佳纪 ;

近藤且章 .

中国专利 :CN1242497C ,2003-10-01

[7]

半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置 [P].

刘士伟 ;

徐瑾 ;

石保军 ;

王水杰 ;

刘可 ;

张中英 .

中国专利 :CN113826223A ,2021-12-21

[8]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[9]

半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法 [P].

郑太逸 ;

金英采 ;

金善万 ;

韩睿志 ;

朴清勋 ;

崔炳均 ;

姜世恩 .

中国专利 :CN102956786A ,2013-03-06

[10]

半导体发光器件及半导体发光器件封装结构 [P].

覃国恒 ;

周业颖 ;

黄德冰 .

中国专利 :CN218333842U ,2023-01-17

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