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具有填充的导电腔体的半导体封装

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010079564.4
申请日：
2020-02-04
公开(公告)号：
CN111564415A
公开(公告)日：
2020-08-21
发明(设计)人：
黄志洋 蔡福城 S·马海因尔 J·梅尔茨 N·奥斯曼 J·V·苏赛普拉卡萨姆 H·H·郑
申请人：
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市
IPC主分类号：
H01L2331
IPC分类号：
H01L23498 H01L23495
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
邬少俊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-08-21 公开 公开
2021-10-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20200204
共 50 条
[1]
具有填充的导电腔体的半导体封装 [P]. 
黄志洋 ;
蔡福城 ;
S·马海因尔 ;
J·梅尔茨 ;
N·奥斯曼 ;
J·V·苏赛普拉卡萨姆 ;
H·H·郑 .
德国专利 :CN111564415B ,2025-04-25
[2]
具有空气腔体的半导体封装件 [P]. 
张超发 ;
J·阿卜杜尔瓦希德 ;
R·S·B·巴卡 ;
陈冠豪 ;
钟福兴 ;
蔡国耀 ;
郭雪婷 ;
吕志鸿 ;
刘顺利 ;
N·奥斯曼 ;
卜佩銮 ;
W·莱斯 ;
S·施玛兹尔 ;
A·C·图赞·伯纳德斯 .
中国专利 :CN110010559A ,2019-07-12
[3]
具有空气腔体的半导体封装件 [P]. 
张超发 ;
J·阿卜杜尔瓦希德 ;
R·S·B·巴卡 ;
陈冠豪 ;
钟福兴 ;
蔡国耀 ;
郭雪婷 ;
吕志鸿 ;
刘顺利 ;
N·奥斯曼 ;
卜佩銮 ;
W·莱斯 ;
S·施玛兹尔 ;
A·C·图赞·伯纳德斯 .
德国专利 :CN110010559B ,2024-09-06
[4]
半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P]. 
廖国成 ;
陈家庆 ;
丁一权 .
中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19
[5]
半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P]. 
廖国成 ;
陈家庆 ;
丁一权 .
中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04
[6]
底部填充材料、半导体封装和半导体封装的制造方法 [P]. 
増田智也 ;
佐藤亮太 ;
铃木真由 .
日本专利 :CN118525369A ,2024-08-20
[7]
具有多种类型导电元件的半导体封装 [P]. 
应战 ;
刘恺 ;
王亚琴 .
中国专利 :CN119230508A ,2024-12-31
[8]
具有导电柱的半导体封装及其制造方法 [P]. 
全光宰 ;
金东奎 ;
朴正镐 ;
张延镐 .
中国专利 :CN111613587A ,2020-09-01
[9]
具有多种类型导电元件的半导体封装 [P]. 
应战 ;
刘恺 ;
王亚琴 .
中国专利 :CN119230510A ,2024-12-31
[10]
具有封装基板的半导体封装 [P]. 
李镕官 ;
金承焕 ;
金埩周 ;
金钟完 ;
金贤基 ;
朴埈祐 ;
白亨吉 ;
李贞雅 ;
全泰俊 .
中国专利 :CN115346929A ,2022-11-15
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