一种发光二极管芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010117868.1

申请日：

2010-03-04

公开(公告)号：

CN101789478B

公开(公告)日：

2010-07-28

发明(设计)人：

陈诚郝茂盛李士涛

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	授权	授权
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006041443 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2010101178681 申请日:20100304
2010-07-28	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[2]

发光二极管芯片及其制造方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

陈诚 ;

陶淳 ;

朱广敏 ;

张楠 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103280499B ,2013-09-04

[3]

发光二极管芯片的制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陶淳 ;

朱广敏 ;

陈诚 ;

张楠 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103325892A ,2013-09-25

[4]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[5]

一种发光二极管芯片 [P].

陈亭玉 ;

戴志祥 ;

孙旭 ;

张家豪 .

中国专利 :CN212810321U ,2021-03-26

[6]

一种发光二极管芯片及其制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN101567414B ,2009-10-28

[7]

一种发光二极管芯片及其制备方法 [P].

谢鹏 ;

尹灵峰 ;

韩涛 ;

王江波 ;

李鹏 .

中国专利 :CN104810436A ,2015-07-29

[8]

发光二极管芯片 [P].

洪梓健 ;

沈佳辉 ;

彭建忠 .

中国专利 :CN104183681A ,2014-12-03

[9]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[10]

发光二极管芯片制备方法 [P].

朱迪 ;

肖和平 .

中国专利 :CN112993112B ,2021-06-18

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