在半导体器件中形成金属布线的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710193499.2

申请日：

2007-11-27

公开(公告)号：

CN101192567A

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

金万植

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522 H01L23532

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-04	公开	公开
2015-01-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594992853 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2007101934992 申请日:20071127 授权公告日:20100616 终止日期:20131127
2010-06-16	授权	授权
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN103107126A ,2013-05-15

[2]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

赵宏来 .

中国专利 :CN101770979A ,2010-07-07

[3]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

朴滢淳 ;

郭鲁正 ;

廉胜振 ;

柳春根 ;

郑钟九 ;

金成准 .

中国专利 :CN101807540A ,2010-08-18

[4]

在半导体器件中形成铜布线的方法 [P].

表成奎 ;

金宪度 .

中国专利 :CN1270413A ,2000-10-18

[5]

半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法 [P].

葛原刚 ;

小邑笃 ;

坚田满孝 ;

成濑孝好 .

中国专利 :CN101170091A ,2008-04-30

[6]

形成半导体器件金属布线的方法 [P].

金宪度 .

中国专利 :CN1142120A ,1997-02-05

[7]

用于形成半导体器件中的金属布线的方法 [P].

金亨俊 .

中国专利 :CN1617323A ,2005-05-18

[8]

半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法 [P].

金官洙 ;

金是范 ;

郑钟烈 ;

姜良范 ;

李泰钟 ;

申讲燮 .

中国专利 :CN103579185B ,2014-02-12

[9]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金东俊 .

中国专利 :CN1722405A ,2006-01-18

[10]

形成半导体器件的金属布线的方法 [P].

金相喆 .

中国专利 :CN101740487A ,2010-06-16

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